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研究与技术
制造流程
硅料品质提升流程
  硅单晶生产工艺流程
  硅片生产工艺流程
  硅多晶生产工艺流程
  电池片生产工艺流程
  组件生产工艺流程
质量监控

 

 
 
  1. 清炉
    清理真空炉体内的挥发物,检查设备各部件是否正常。

  2. 装炉
    将适量的硅原料放入带有涂层的石英陶瓷坩埚,然后将坩埚放置在热交换台(冷却板)上。

  3. 抽空
    将炉体抽真空,使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。

  4. 检漏
    关闭所有阀门,检测单位时间内漏气率是否符合生产标准。

  5. 化料
    通入氩气作为保护气,逐渐增加加热功率,使硅原料熔化。

  6. 长晶
    降低加热功率,使硅熔液温度接近熔点,通过热交换使坩埚内形成温度梯度,从而使晶体由下自上生长。

  7. 退火
    晶体生长完成之后,晶锭保持熔点附近2-4小时,使晶锭温度均匀,以减少热应力。

  8. 冷却
    关闭加热功率,提升隔热装置或者完全下降下隔热板,炉内通入大流量氩气,使晶体温度逐渐降至室温附近。

  9. 开炉
    降下下炉体,取出晶锭。