阳光能源控股有限公司

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研究与技术

	‧硅料品质提升流程
	‧硅单晶生产工艺流程
	‧硅片生产工艺流程
	‧硅多晶生产工艺流程
	‧组件生产工艺流程

清炉
清理真空炉体内的挥发物，检查设备各部件是否正常。
装炉
将适量的硅原料放入带有涂层的石英陶瓷坩埚，然后将坩埚放置在热交换台（冷却板）上。
抽空
将炉体抽真空，使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。
检漏
关闭所有阀门，检测单位时间内漏气率是否符合生产标准。
化料
通入氩气作为保护气，逐渐增加加热功率，使硅原料熔化。
长晶
降低加热功率，使硅熔液温度接近熔点，通过热交换使坩埚内形成温度梯度，从而使晶体由下自上生长。
退火
晶体生长完成之后，晶锭保持熔点附近2-4小时，使晶锭温度均匀，以减少热应力。
冷却
关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降下隔热板，炉内通入大流量氩气，使晶体温度逐渐降至室温附近。
开炉
降下下炉体，取出晶锭。