香港联交所代号: 00757
台湾存託凭证代号:9157TT
主页 | 网站地图    繁体 | ENG

业务概览
‧硅料品质提升
 
‧硅料量身定做服务
‧单晶硅锭及硅片
‧多晶硅锭及硅片
‧单晶及多晶組件
‧系统设计及安裝
生产设施

‧锦州基地

    锦州阳光能源

    锦州新阳光光伏应用有限公司

‧上海基地

    上海晶技

‧青海基地

    阳光能源(青海)

‧土耳其基地

销售市场

 

 
晶棒规格
 
导电类型 生长方式 掺杂物 电阻率
(Ω.cm)
氧含量
(atoms/cm3)
碳含量
(atoms/cm3)
P CZ 0.5~3, 3~6 ≦1X1018 ≦5X1016
N CZ 0.5~3, 0.6~3.5 ≦0.95X1018 ≦5X1016
导电类型 位错密度
(Etch Pit Density) (/cm2)
少子寿命
(μs)
单晶晶向
(Degree)
直径
(mm)
晶棒长度
(mm)
P ≦3000 ≧15 <100>±3 100.0~200.0 100~1300
N ≦3000 ≧100 <100>±3 100.0~200.0 100~1300
 
晶片规格
 
生长方式 CZ 少子寿命
(μs)
P:≧15
N:≧100
导电类型 P / N 位错密度
(Etch Pit Density) (/cm2)
≦3000
掺杂物 硼 / 磷 边长
(mm)
Φ6":125±0.5
Φ6.5":125±0.5
Φ8":156±0.5
单晶晶向
(Degree)
<100>±3 对角线长
(mm)
Φ6":150±0.5
153±0.5
Φ6.5":165±0.5
Φ8":200±0.5
电阻率
(Ω.cm)
P: 0.5~3, 3~6
N: 0.5~3, 0.6~3.5
片厚
(μm)
180±20
氧含量
(atoms / cm3)
P:≦1X1018
N:≦0.95X1018
TTV
(μm)
≦30
碳含量
(atoms / cm3)
≦5X1016 翘曲度
(μs)
≦40