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研究與技術
製造流程
‧硅料品質提升流程
  ‧硅單晶生產工藝流程
  ‧硅片生產工藝流程
  ‧硅多晶生產工藝流程
  ‧電池片生產工藝流程
  ‧組件生產工藝流程
質量監控
茂迪环境影响报告表
茂迪环境影响报告表批复

 

 
 
  1. 清爐
    清理真空爐體內的揮發物,檢查設備各部件是否正常。

  2. 裝爐
    將適量的硅原料放入帶有塗層的石英陶瓷坩堝,然後將坩堝放置在熱交換台(冷卻板)上。

  3. 抽空
    將爐體抽真空,使爐內壓力降至0.05-0.1mbar並保持真空。

  4. 檢漏
    關閉所有閥門,檢測單位時間內漏氣率是否符合生産標準。

  5. 化料
    通入氬氣作爲保護氣,逐漸增加加熱功率,使硅原料熔化。

  6. 長晶
    降低加熱功率,使硅熔液溫度接近熔點,通過熱交換使坩堝內形成溫度梯度,從而使晶體由下自上生長。

  7. 退火
    晶體生長完成之後,晶錠保持熔點附近2-4小時,使晶錠溫度均勻,以減少熱應力。

  8. 冷卻   
    關閉加熱功率,提升隔熱裝置或者完全下降下隔熱板,爐內通入大流量氬氣,使晶體溫度逐漸降至室溫附近。

  9. 開爐   
    降下下爐體,取出晶錠。