陽光能源控股有限公司

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研究與技術

	‧硅料品質提升流程
	‧硅單晶生產工藝流程
	‧硅片生產工藝流程
	‧硅多晶生產工藝流程
	‧組件生產工藝流程

清爐
清理真空爐體內的揮發物，檢查設備各部件是否正常。
裝爐
將適量的硅原料放入帶有塗層的石英陶瓷坩堝，然後將坩堝放置在熱交換台（冷卻板）上。
抽空
將爐體抽真空，使爐內壓力降至0.05-0.1mbar並保持真空。
檢漏
關閉所有閥門，檢測單位時間內漏氣率是否符合生産標準。
化料
通入氬氣作爲保護氣，逐漸增加加熱功率，使硅原料熔化。
長晶
降低加熱功率，使硅熔液溫度接近熔點，通過熱交換使坩堝內形成溫度梯度，從而使晶體由下自上生長。
退火
晶體生長完成之後，晶錠保持熔點附近2-4小時，使晶錠溫度均勻，以減少熱應力。
冷卻
關閉加熱功率，提升隔熱裝置或者完全下降下隔熱板，爐內通入大流量氬氣，使晶體溫度逐漸降至室溫附近。
開爐
降下下爐體，取出晶錠。