陽光能源控股有限公司

香港聯交所代號: 00757
台灣存託憑證代號：9157TT

主頁 | 網站地圖簡体 | ENG

公司簡介企業使命董事及管理層重要里程碑人員招聘

業務概覽生產設施銷售市場

研究與技術製造流程質量監控

公告及通函財務報告推介資料公司資料企業管治投資者查詢

新聞稿傳媒查詢

研究與技術

	‧硅料品質提升流程
	‧硅單晶生產工藝流程
	‧硅片生產工藝流程
	‧硅多晶生產工藝流程
	‧組件生產工藝流程

硅料熔化
將各種原料裝入到石英坩堝內，進行抽空檢漏，然後在氬氣的保護下升溫將硅料熔化。
硅料穩定
全熔的硅料在高溫保持少許時間，然後適當的降溫一段時間，進行穩定。
縮頸/引晶
將籽晶降到接觸液面，調節使其熔接好，調節溫度開始縮頸，通過合理的縮頸和增加籽晶長度排除位元錯，生產目標直徑單晶。
等徑生長
通過控制提拉速度和熔體的溫度，使無位元錯的小晶體長大，到目標直徑後通過改變提拉速度的方法收肩，讓無位元錯晶體等徑生長。
收尾
等到單晶生長到適當的時候，為了避免位錯反延，適當的改變提拉速度和溫度使直徑慢慢變細而脫離液面，使單晶完整無位錯。
退火
關閉加熱電源，適當的提升晶體完成退火。