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銷售市場

 

 
晶棒規格
 
導電類型 生長方式 摻雜物 電阻率
(Ω.cm)
氧含量
(atoms/cm3)
碳含量
(atoms/cm3)
P CZ 0.5~3, 3~6 ≦1X1018 ≦5X1016
N CZ 0.5~3, 0.6~3.5 ≦0.95X1018 ≦5X1016
導電類型 位錯密度
(Etch Pit Density) (/cm2)
少子壽命
(μs)
單晶晶向
(Degree)
直徑
(mm)
晶棒長度
(mm)
P ≦3000 ≧15 <100>±3 100.0~200.0 100~1300
N ≦3000 ≧100 <100>±3 100.0~200.0 100~1300
 
晶片規格
 
生長方式 CZ 少子壽命
(μs)
P:≧15
N:≧100
導電類型 P / N 位錯密度
(Etch Pit Density) (/cm2)
≦3000
摻雜物 硼 / 磷 邊長
(mm)
Φ6":125±0.5
Φ6.5":125±0.5
Φ8":156±0.5
單晶晶向
(Degree)
<100>±3 對角線長
(mm)
Φ6":150±0.5
153±0.5
Φ6.5":165±0.5
Φ8":200±0.5
電阻率
(Ω.cm)
P: 0.5~3, 3~6
N: 0.5~3, 0.6~3.5
片厚
(μm)
180±20
氧含量
(atoms / cm3)
P:≦1X1018
N:≦0.95X1018
TTV
(μm)
≦30
碳含量
(atoms / cm3)
≦5X1016 翹曲度
(μs)
≦40