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銷售市場

 
 
晶棒規格
 
導電類型 生長方式 摻雜物 電阻率
(Ω．cm)		 氧含量
(atoms/cm3)		 碳含量
(atoms/cm3)
P CZ 硼 0.5~3, 3~6 ≦1X1018 ≦5X1016
N CZ 磷 0.5~3, 0.6~3.5 ≦0.95X1018 ≦5X1016
導電類型 位錯密度
(Etch Pit Density) (/cm2)		 少子壽命
(μs)		 單晶晶向
(Degree)		 直徑
(mm)		 晶棒長度
(mm)
P ≦3000 ≧15 <100>±3 100.0~200.0 100~1300
N ≦3000 ≧100 <100>±3 100.0~200.0 100~1300
 
晶片規格
 
生長方式 CZ 少子壽命
(μs)		 P:≧15
N:≧100
導電類型 P / N 位錯密度
(Etch Pit Density) (/cm2)		 ≦3000
摻雜物 硼 / 磷 邊長
(mm)		 Φ6":125±0.5
Φ6.5":125±0.5
Φ8":156±0.5
單晶晶向
(Degree)		 <100>±3 對角線長
(mm)		 Φ6":150±0.5
153±0.5
Φ6.5":165±0.5
Φ8":200±0.5
電阻率
(Ω．cm)		 P: 0.5~3, 3~6
N: 0.5~3, 0.6~3.5		 片厚
(μm)		 180±20
氧含量
(atoms / cm3)		 P:≦1X1018
N:≦0.95X1018		 TTV
(μm)		 ≦30
碳含量
(atoms / cm3)		 ≦5X1016 翹曲度
(μs)		 ≦40

 
 
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